LTC4267-3
应用S我FOR ATIO
温度超过过热跳闸点，所述
电流减小到零，并很少的功率耗散是
pated中的一部分，直到它冷却过热下面
设定点。一旦LTC4267-3具有充电负荷
电容器和PD被供电并正在运行，有将
是轻微的剩余加热由于直流负载电流
在PD FL通过内部MOSFET因。
在分类网络阳离子时， LTC4267-3的过热
可能发生，如果PSE违反探测时限75ms 。
为了保护LTC4267-3 ，热过载保护电路将
禁用分类科幻离子电流，如果管芯温度超过
超温跳闸点。当模具冷却下来
低于触发点，分类网络阳离子电流被重新启用。
在PD的目的是在高环境温操作
perature并与所允许的最大电压（ 57V ） 。
然而，有一个限制向负载电容的大小
可充电之前的LTC4267-3到达
超温跳闸点。打到过热
触发点间歇性不损害LTC4267-3 ，
但它会耽误完成电容充电。
电容高达200μF可以毫无问题进行充电
在整个工作温度范围内。
开关稳压器主要控制回路
由于篇幅的限制，电流模式的基础
直流/直流转换这里将不讨论。读者
被提及的细节处理，应用笔记19
或文本，如亚伯拉罕·普雷斯曼的
开关电源
供应设计。
在以太网供电系统，大多数的应用
系统蒸发散包括隔离电源设计。这意味着
该输出供电没有任何直流elec-
Trical公司路径PD接口或开关稳压器
主要的。直流隔离是通过典型的实现
在正向路径中的变压器和光隔离器
反馈路径或第三绕组的变压器。
头版上显示的典型应用电路
的数据代表一个孤立的设计使用
光隔离器。在应用中，非隔离拓扑结构
需要时， LTC4267-3有反馈端口，
一个内部误差放大器连接器，可以启用此
特定连接的C应用程序。
U
在典型的应用电路（图11）中，分离
拓扑结构采用一个外部电阻分压器
呈现的输出电压的一小部分到外部
误差放大器连接器。误差放大器ER响应拉动
一个模拟电流通过输入上一个optoiso- LED
荡器。光隔离器输出的集电极呈现一个
对应的电流引入我
TH
通过一系列/ RUN引脚
二极管。此方法生成的反馈电压
I
TH
/ RUN引脚，同时保持隔离。
在I上的电压
TH
/ RUN引脚控制脉冲宽度
调制器由振荡器构成，电流比较器，
和RS锁存器。具体来说，在我的电压
TH
/ RUN引脚
设定电流比较器的门限。趋势/涌流
比较器监视检测电阻两端的电压
串联在外部N常用信的源极端子
NEL MOSFET。该LTC4267-3接通外部电源
当MOSFET的内部自由运行的300kHz振荡器
对RS锁存器。它关闭MOSFET时，电流
租金比较复位锁存器或在80 ％占空比
到达，无论发生网络RST 。在这种方式中，峰值
通过反激式变压器的原边电流水平
和次要由I控制
TH
/运行电压。
在应用中，非隔离拓扑结构是可取的
（图11 ） ，一个外部电阻分压器可压力
直接ENT的输出电压的一部分与V
FB
针
在LTC4267-3的。除法器必须被设计成当
器的输出处于其所需的电压，在V
FB
引脚电压
将等于为800mV板载内部参考。该
内部误差放大器的响应ER通过驱动我
TH
/ RUN
引脚。该LTC4267-3的开关稳压器在执行
如先前所述类似的方式。
稳压器启动/关机
该LTC4267-3的开关稳压器有两种关机
机制来启用和禁用操作：一个非
在P dervoltage闭锁
VCC
电源引脚和强制
每当外部电路驱动我关机
TH
/ RUN
引脚为低电平。该LTC4267-3切换过渡流入和流出
根据状态图（图8）关机。
它不欠压锁定混淆是非常重要的
在V的PD接口
PORTn
与该开关的
稳压器在P
VCC
。他们是独立的功能。
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U U
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