LTC4008
应用S我FOR ATIO
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
，总栅极电容Q
G
，反
传输电容C
RSS
，输入电压和最大
输出电流。该充电器在连续工作
模式，因此在工作循环的顶部和底部的MOSFET
由下式给出：
主开关管的占空比= V
OUT
/V
IN
同步开关的占空比= （V
IN
– V
OUT
)/V
IN
.
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
段Pmain = V
OUT
/V
IN
(I
最大
)
2
(1 +
δΔT ）R
DS （ ON）
+ K （V
IN
)
2
(I
最大
)(C
RSS
)(f
OSC
)
PSYNC = （V
IN
– V
OUT
)/V
IN
(I
最大
)
2
(1 +
δΔT ）R
DS （ ON）
哪里
δT
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和
k为常数成反比关系的栅极驱动电流。
两个MOSFET有我
2
损失而段Pmain公式
包括一个附加项为过渡损失，这是
最高，在高输入电压。对于V
IN
< 20V高
电流效率具有较大的MOSFET普遍提高，
而对于V
IN
> 20V的转换损耗快速增加
给点，使用了更高的R
DS （ ON）
器件
LOWER
RSS
实际上提供了更高的效率。该同步
异步的MOSFET的损耗是最大的，在高输入电压
年龄或短路期间，当占空比在此
转了近100 ％ 。术语（1+
δT)
一般是
在归一化R的形式给出了一个MOSFET的
DS （ ON）
vs
温度曲线，但
δ
= 0.005 / ℃，可作为一个
近似低电压的MOSFET 。
RSS
= Q
GD
/
V
DS
通常在MOSFET的特性指定。
常数k = 2 ，可用于估计的贡献
这两个词在主开关耗散系统蒸发散
方程。
如果充电器处于低压差模式或与操作
高占空比大于85％ ，然后在上部
P沟道效率通常可以提高具有较大的
MOSFET。采用不对称的MOSFET可以实现成本
储蓄或EF网络效率收益。
U
肖特基二极管D1 ，在典型应用如图
背页上，在之间的死区时间进行
两个功率MOSFET的导通。这可以防止
下面的MOSFET的从导通的体二极管和
在死区时间存储电荷，这可能成本
就像在效率1％。为1A肖特基一般是一
由于相对较小的尺寸很好的4A稳压器
平均电流。较大的二极管可以导致额外的
转换损耗，由于其较大的结电容。
二极管也可以省略，如果效率损失可
耐受性。
计算IC功率耗散
该LTC4008的功耗取决于
顶部和底部的MOSFET的栅极电荷（Q
G1
＆放大器;
Q
G2
分别）的栅极电荷从所确定的
制造商提供的数据资料，并依赖于两个
栅极电压摆幅和的漏极电压摆幅
MOSFET。使用6V的栅极电压摆幅和V
DCIN
为
漏极电压摆幅。
PD = V
DCIN
(f
OSC
(Q
G1
+ Q
G2
) + I
Q
)
例如：
V
DCIN
= 19V ，女
OSC
= 345kHz ，Q
G1
= Q
G2
= 15nC ，
I
Q
= 5毫安
PD = 292mW
适配器限制
的LTC4008的一个重要特征是能够
自动地调整充电电流的水平
避免超载墙上适配器。这使得在本产品
UCT同时操作该电池正在
充电，无需复杂的负载管理算法。
此外，电池会自动在充电
其中最大可能速率适配器能。
此功能是通过感应适配器的总输出创建
目前，调整充电电流下降，如果
超过预设适配器电流限制。真模拟
4008fa
W
U U
15
