LTC4008
单操作
FET输入（ LTC4008 ）
TGATE
输入场效应晶体管电路执行两种功能。它使
充电器如果输入电压高于电针更高
并且提供的交流上存在的逻辑指示器
ACP / SHDN引脚。它控制输入场效应晶体管的栅极，以保持
低正向压降充电并且还当
防止反向电流流过FET的输入。
如果输入电压小于V
电
，它必须至少
170mV的比V高
CLn的
激活充电器。当此
发生在ACP / SHDN引脚被释放，拉升了
一个外部负载，以指示适配器存在。该
输入场效应晶体管的栅极被驱动到足以保持一个电压
从漏低正向压降为源。如果
DCIN和电之间的电压下降到低于25mV的，
输入FET关闭时速度很慢。如果之间的电压
DCIN和CLP是有史以来低于 - 25mV的，那么输入FET
被关断，在不到10微秒，以防止显著
反向流动的输入场效应晶体管的电流。在这
条件下， ACP / SHDN引脚被拉低，充电器
被禁用。
输入FET （ LTC4008-1 ）
输入场效应晶体管电路被用于LTC4008-1禁用。那里
无低电流关断模式时，以下属于DCIN
中电针。在ACP / SHDN引脚功能只关闭
断充电器。
电池充电器控制器
该LTC4008充电器控制器采用恒定关断时间，
电流模式降压架构。在正常OP-
关合作，高端MOSFET导通每个周期时，
振荡器设置SR锁存器和关断时，主
目前我比较
CMP
重置的SR锁存器。而顶部
MOSFET关断，底部MOSFET导通，直到
无论是电感电流跳闸电流比较器
I
转
或下一个周期的开始。该振荡器的用途
公式：
t
关闭
=
V
DCIN
– V
BAT
V
DCIN
f
OSC
设置底部MOSFET导通时间。本次活动是dia-
编程在图1中。
U
关闭
ON
ON
BGATE
关闭
TRIP POINT SET BY ITH电压
感应器
当前
4008 F01
t
关闭
图1
峰值电感电流，在我
CMP
复位SR
锁存器中，通过在余压控
TH
. I
TH
依次
由几个回路控制的，根据情况
在手。平均电流控制环路将所
CSP和BAT之间的电压为代表的电流。
误差放大器CA2比较这对当前所需
由R的电流编程
PROG
在PROG引脚和
我调整
TH
直到：
V
REF
V
– V
+
11.67
A 3.01k
=
CSP BAT
R
PROG
3.01k
因此，
V
3.01k
I
CHARGE （ MAX）
=
REF
– 11.67
A
R
PROG
R
SENSE
在BATMON的电压分压由外部
电阻分压器，用来通过误差放大器EA减少
I
TH
如果分压器电压高于1.19V的参考。
当充电电流逐渐减小时，电压
在PROG将减小成正比。在电压
PROG然后由下式给出：
V
PROG
=
(
I
收费
R
SENSE
+
11.67
A 3.01k
)
R
PROG
3.01k
Ⅴ的准确性
PROG
将范围从0％到我
托尔
.
V
PROG
绘于图2中。
放大器CL1显示器和限制了输入电流，
通常从交流适配器连接到预先设定的水平（为100mV /
R
CL
） 。在输入电流限制， CL1会降低我
TH
电压，从而降低了充电电流。在我
CL
指示灯
器输出变为低电平时，检测到这种情况，并
如果不是已经很低标志指示器将被禁止。
4008fa
9
