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LTC3858
应用信息
在连续模式中，高端MOSFET的源极电流
为方波的占空比（Ⅴ
OUT
)/(V
IN
） 。为了防止
大的瞬态电压，低ESR电容的大小为
最大RMS电流一个信道必须被使用。该
最大RMS电容器的电流由下式给出：
C
IN
重新quired我
RMS
≈
1/ 2
I
最大
V
OUT
V
IN
– V
OUT
(1)
V
IN
在V
IN
引脚提供了两者之间的进一步孤立
通道。
C的选择
OUT
由等效串联驱动
电阻（ESR） 。通常情况下，一旦ESR要求
被满足时，该电容是足够的滤波。该
输出纹波（ ΔV
OUT
）被近似为：
V
OUT
1
≈
I
L
ESR
+
8 F
OUT
(
)(
)
Equation 1 has a maximum at V
IN
= 2V
OUT-
，在那里我
RMS
= I
OUT
/2. This simple worst-case condition is commonly
用于设计，因为即使是显著的偏差不
提供多少援助。需要注意的是电容制造商的纹波
current ratings are often based on only 2000 hours of life.
这使得它建议进一步减免的电容，或
选择额定温度高于电容器
所需。多个电容器可以并联，以满足
在设计尺寸和高度的要求。由于高
operating frequency of the LTC3858, ceramic capacitors
也可使用对C
IN
。请务必咨询制造商
如果有任何问题。
两相操作的好处可以通过以下公式计算
使用等式1对于较高功率控制器和
然后计算这将导致如果两个损失
控制器通道接通在同一时间。该
总RMS功率失去了较低时，两个控制器都
由于电流脉冲的减小重叠操作
通过输入电容器的ESR必需的。这就是为什么
输入电容的要求计算上述对
最坏情况下的控制是足够的双控制器
设计。另外，输入保护熔丝电阻，电池
性， PCB布线电阻损耗也
reduced due to the reduced peak currents in a 2-phase
系统。多相设计的整体效益将
只有充分实现时的源阻抗
电源/电池是包含在效率测试。
上方MOSFET漏极应置于
1cm of each other and share a common C
IN
（多个） 。 Separat-
荷兰国际集团的来源和C
IN
可能会产生不良的电压
和电流共振在V
IN
.
A small (0.1F to 1F) bypass capacitor between the chip
V
IN
pin and ground, placed close to the LTC3858, is also
suggested. A 10Ω resistor placed between C
IN
(C1) and
其中F
O
为工作频率，C
OUT
是输出
电容和ΔI
L
是在电感中的纹波电流。
输出纹波是最高的最大输入电压
由于ΔI
L
增加了与输入电压。
设置输出电压
The LTC3858 output voltages are each set by an external
反馈电阻分压器小心地放置在整个输出
put, as shown in Figure 6. The regulated output voltage
由下式确定：
R
V
OUT
=
0.8 V
1
+
B
R
A
提高频率响应，一个前馈钙
pacitor ，C
FF
中，可以使用。大保养应注意
路线V
FB
从噪声源，如线远
电感器或SW线。
V
OUT
1/2 LTC3858
V
FB
R
A
3858 F06
R
B
C
FF
图6.设置输出电压
软启动（ SS引脚）
启动各V的
OUT
通过对压控
相应的SS引脚。当SS引脚上的电压为
less than the internal 0.8V reference, the LTC3858 regulates
在V
FB
引脚电压SS引脚上的电压，而不是
of 0.8V. The SS pin can be used to program an external
软启动功能。
3858fa
0
