LTC1871-7
应用信息
在此电感充电周期中，输出电容
必须提供负载电流和显着的耷拉在
输出电压可发生。一般情况下，这是一个好主意
选择电感器的值
ΔI
L
介于25 ％和40％
我
IN （MAX）
。另一种选择是要么增加值
输出电容或禁止突发模式操作
通过MODE / SYNC引脚。
突发模式工作可以通过连接失败
MODE / SYNC引脚为高逻辑电平的电压（或者与
控制输入或通过此引脚连接到INTV
CC
） 。在
这种模式下，爆钳被除去，并且该芯片可以
从连续导通恒定频率工作
模式（ CCM）在满负载时，下入深不连续
导通模式（ DCM）中在轻负载。在此之前跳过
在非常轻的负载脉冲（即满负荷<5 ％ ） ，该控制 -
不可测量将运行在DCM中的导通时间的最小开关。
脉冲跳跃防止输出控制的损失
非常轻的负载，降低输出电压纹波。
英法fi效率的思考
的开关稳压器的英法fi效率等于输出
把电源由输入功率除以（ ×100 ％）。百分
英法fi效率可以表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...） ，
其中， L1，L2等是个别损耗分量为
输入功率的百分比。它是分析往往有用
个人的损失，以确定哪些是限制了英法fi效率
而这变化将产生最完善。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源，通常占多数
：在LTC1871-7应用电路的损耗
1.电源电流中V
IN
。在V
IN
电流的总和
直流电源电流I的
Q
（在电气煤焦定
Cucumis Sativus查阅全文）和MOSFET驱动器和控制电流。
直流电源的电流流入V
IN
销通常为约
650μA ，并代表一个小的功率损耗（小得多
小于1％ ），其与V增加
IN
。该驱动器的电流
从开关电源的栅极电容的结果
MOSFET ;这个电流通常比大得多
直流电流。每次MOSFET的导通和
栅极电荷Q然后熄灭，包
G
从转移
INTV
CC
到地面。所得dQ的/ （dt）是一个电流
必须提供给INTV
CC
通过电容器
V
IN
销由外部供应。如果IC在运行
CCM ：
I
Q（ TOT ）
≈ I
Q
= F Q
G
P
IC
= V
IN
(I
Q
+ F Q
G
)
2.功率MOSFET的开关损耗和传导损耗：
P
FET
=
I
O（最大值）
1– D
最大
2
R
DS （ ON）
D
最大
C
RSS
f
T
+
K = V
O2
I
O（最大值）
1– D
最大
3.我
2
损失在检测电阻可以计算
几乎被检查。
P
R（ SENSE ）
=
I
O（最大值）
1– D
最大
2
R
SENSE
D
最大
4.在所述电感器中的损耗是简单地将直流输入电流
租方次绕组电阻。表达
这个损耗随着输出电流产率的一个函数：
P
R（绕组）
=
I
O（最大值）
1– D
最大
2
R
W
5.负的升压二极管。在功耗
升压二极管是：
P
二极管
= I
O（最大值）
V
D
升压二极管可以是功率损耗的主要来源
在升压转换器。为13.2V的输入，在42V输出
1.5A例子示于图9中，与肖特基二极管
一个0.4V的正向电压会消耗600mW的，这
代表约1％的输入功率。二极管的损耗
能成为显着的低输出电压的地方
在正向电压的一个显着的百分比
输出电压。
6.其他损失，包括C
IN
和C
O
ESR和耗散
电感器的磁芯损耗，一般占不到
2 ％的总损失。
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