LT3024
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LT1962
LT1963/LT1963A
LT1964
LT3023
LTC3407
描述
700毫安，微功耗， LDO
500毫安，微功率负LDO
3A ，负LDO
100mA时低噪声，微功耗， LDO
150毫安，低噪声，微功耗， LDO
500毫安，低噪声，微功耗， LDO
3A ，低噪声，快速瞬态响应， LDO
150毫安，非常低压差LDO
300mA，低噪声，微功耗， LDO
评论
V
IN
： 4.2V至30V ，V
OUT （分钟）
= 3.75V ，我
Q
= 50μA ，我
SD
= 16μA ， DD ， SOT- 223 ， S8 ， TO220 ，
TSSOP20封装
保证电压容差和线路/负载调整率，V
IN
： -20V至-4.3V ，
V
OUT （分钟）
= -3.8V ，我
Q
= 45μA ，我
SD
= 10μA ， DD ， SOT- 223 ， S8套装
准确可编程电流限制，遥感，V
IN
： -35V至-4.2V ，V
OUT （分钟）
= -2.40V ，我
Q
= 2.5毫安，我
SD
<1μA ， TO220-5包装
低噪声< 20μV
RMS ，
稳定与1μF的陶瓷电容，V
IN
： 1.8V至20V ，
V
输出（ MIN） =
1.22V ，我
Q
= 20μA ，我
SD
<1μA ，采用ThinSOT封装
低噪声< 20μV
RMS ，
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V ，我
Q
= 25μA ，我
SD
<1μA,
MS8包装
低噪声< 20μV
RMS ，
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
<1μA,
S8包装
低噪声< 40μV
RMS ，
"A"版本稳定与陶瓷电容，V
IN
： 2.7V至20V ，
V
OUT （分钟）
= 1.21V ，我
Q
= 1mA时，我
SD
<1μA ， DD ， TO220封装
低噪声< 30μV
RMS
，稳定与1μF的陶瓷电容，V
IN
： 1.6V至6.5V ，
V
OUT （分钟）
= 1.25V ，我
Q
= 40μA ，我
SD
<1μA ，采用ThinSOT封装
低噪声< 20μV
RMS ，
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
<1μA,
MS8包装
1.5A ，低噪声，快速瞬态响应， LDO的低噪声< 40μV
RMS ，
"A"版本稳定与陶瓷电容，V
IN
： 2.1V至20V ，
V
OUT （分钟）
= 1.21V ，我
Q
= 1mA时，我
SD
<1μA ， DD ， TO220 ， SOT- 223 ， S8套装
200mA，低噪声微功率，负LDO
双路100mA时低噪声，微功耗LDO
两个600mA 。 1.5MHz的同步降压
DC / DC转换器
低噪声< 30μV
RMS ，
稳定的陶瓷电容，V
IN
： -0.9V至-20V ，
V
OUT （分钟）
= -1.21V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
= 3μA ，采用ThinSOT封装
低噪声< 20μV
RMS ，
稳定与1μF的陶瓷电容，V
IN
： 1.8V至20V ，
V
OUT （分钟）
= 1.22V ，我
Q
= 40μA ，我
SD
<1μA ， MS10E ， DFN封装
V
IN
： 2.5V至5.5V ，V
OUT （分钟）
= 0.6 V，I
Q
= 40μA ，我
SD
<1μA ， MSE包
3024fa
20
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
(408) 432-1900
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传真： （ 408 ） 434-0507
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LT 0208 REV A美国印刷
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凌力尔特公司2004年
