初步数据表
效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 ......）
其中， L1，L2等是个别损失的百分比
输入功率。虽然大多数在所有耗能元件
损失： VIN静态电流和1
2
损失占主导地位
在中效率损失高负载电流。在一个典型的
效率图，在非常低的负载电流的效率曲线
可能会产生误导，因为实际的权力失去是没有
结果。
LP3205
2. 1
2
Rlosses泰从内部的电阻计算
开关，R
SW
和外部电感
L
。在连续模式
平均输出电流流过电感器L是
主开关和同步之间的“斩波”
开关。因此，串联电阻寻找到LX引脚为
底部和顶部的MOSFER的R函数
DS （ ON）
和义务
周期（DC）如下：
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以是
从典型性能特征曲线获得。
由此，得到1
2
损失，只需加上R
SW
与R
L
和乘
平均输出电流的平方成正比。
1. VIN静态电流是由于两个部件：
DC偏置电流作为在电气定
特性和内部主开关和
同步开关栅极充电电流。门
从开关栅极充电电流结果
内部功率MOSFET的电容
开关。每一次的栅极电荷电流。结果
从开关内部的栅极电容
功率MOSFET开关。每次栅极是
开关由高向低到高一次，一包
收费
△Q
从V运动
IN
到地面。
所产生的
ΔQ /ΔT
是当前列第五
IN
这是典型地
比DC偏置电流要大。在连续模式。
L
GATCHG
= F （Q
T
+Q
B
)
其中Q
T
和Q
B
是内部上方的栅极电荷和
底部的开关。这两个DC偏置电流和栅极电荷损耗
正比于V
IN
因而其效果将更为
明显在较高的电源电压。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占
比总损失为2％以下。
LP3205 - 版本。 1.0数据表
Feb.-2007
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