LM34
绝对最大额定值
（注11 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输出电压
输出电流
储存温度，
TO- 46封装
TO- 92封装
SO- 8封装
ESD易感性（注12 ）
铅温度。
+ 35V至-0.2V
+ 6V至-1.0V
10毫安
-76°F至+ 356F
-76°F至300°F +
-65 ° C至+ 150°C
800V
TO- 46封装
（焊接， 10秒）
TO- 92封装
（焊接， 10秒）
SO封装（注13 ）
气相（60秒）
红外（15秒）
指定的工作温度。范围（注3）
LM34 ， LM34A
LM34C ， LM34CA
LM34D
+300C
+260C
215C
220C
T
民
给T
最大
-50°F至300°F +
-40°F至+ 230 °F。
+ 32F至+ 212°F
DC电气特性
（注2,7）
LM34A
参数
条件
典型
精度（注8）
T
A
= +77F
T
A
= 0F
T
A
= T
最大
T
A
= T
民
非线性（注9 ）
传感器增益
（平均坡度）
负载调整率
（注4 ）
线路调整
（注4 ）
静态电流
（注10 ）
T
A
= +77F
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
0
≤
I
L
≤
1毫安
T
A
= +77F
5V
≤
V
S
≤
30V
V
S
= + 5V ， + 77F
V
S
= +5V
V
S
= + 30V ， + 77F
V
S
= +30V
改变静态的
电流（注4 ）
温度COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
图1中，
I
L
= 0
T
j
= T
最大
1000小时
+3.0
+5.0
+3.0
+5.0
F
F
4V
≤
V
S
≤
30V ， + 77F
5V
≤
V
S
≤
30V
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
经过测试
极限
（注5 ）
设计
极限
（注6 ）
典型
LM34CA
经过测试
极限
（注5 ）
设计
极限
（注6 ）
F
单位
（最大）
±
0.4
±
0.6
±
0.8
±
0.8
±
0.35
+10.0
±
1.0
±
2.0
±
2.0
±
0.7
+9.9,
+10.1
±
0.4
±
0.6
±
0.8
±
0.8
±
0.30
+10.0
±
1.0
±
2.0
±
2.0
±
3.0
±
0.6
+9.9,
+10.1
F
F
F
F
毫伏/楼分
毫伏/女，最大
毫伏/毫安
毫伏/毫安
mV / V的
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
75
131
76
132
+0.5
+1.0
+0.30
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
90
160
92
163
2.0
3.0
+0.5
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
75
116
76
117
0.5
1.0
+0.30
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
90
139
92
142
2.0
3.0
+0.5
mV / V的
A
A
A
A
A
A
μA /女
±
0.16
±
0.16
注2 ：
除非另有说明，这些规范适用于： -50°F
≤
T
j
≤
+ 300F为LM34和LM34A ; -40F
≤
T
j
≤
+ 230F为LM34C和LM34CA ;和
+32F
≤
T
j
≤
+ 212F为LM34D 。 V
S
= +5 VDC和我
负载
= 50微安中的电路
图2 ;
6伏的LM34和LM34A为230F
≤
T
j
≤
300F 。这些规范
也适用于+ 5F至T
最大
中的电路
图1 。
注3 ：
在TO- 46封装的热阻为720F / W结到环境和43F / W结到外壳。在TO- 92封装的热阻为324F / W
结到环境。小外形模压封装的热阻为400F / W结到环境。有关更多的热阻信息，请参阅表
在典型应用部分。
注4 ：
调节是利用脉冲测试使用低占空比测量在恒定的结温。热效应引起的变化的输出，可以计算
通过将热电阻乘以内部耗散。
注5 ：
测试的限制，并保证100 ％生产测试。
注6 ：
设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在指定的温度和电源电压范围。这些限制不用于
计算出厂质量水平。
注7 ：
在特定网络阳离子
黑体字
适用于整个额定温度范围内。
3
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