LM117/LM317A/LM317
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图5中。
θ
（J -A ）
VS铜（ 2盎司）面积为
SOT- 223封装
图7 。
θ
（J -A ）
VS铜（ 1盎司）面积为TO- 263
包
作为一个辅助设计，
图8
示出了最大允许pow-
呃耗散相比环境温度下的
TO-263的设备（假设
θ
（J -A ）
是35°C / W和最大
结温为125℃ ） 。
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图6.最大功率耗散VS牛逼
AMB
对于
SOT- 223封装
散热的TO- 263封装
图7
示出了用于将TO -263的测定值
θ
(J
A)
用一个典型的PCB与1个不同的覆铜面积大小
盎司铜，在铜区域没有阻焊用
用于散热。
如图
图7中的
增加超过1铜区
方寸产生很少的改善。还应
可以观察到的最小值
θ
（J -A ）
对于TO- 263
包安装到PCB上是32℃ / W 。
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图8.最大功率耗散VS牛逼
AMB
对于
TO- 263封装
散热的TO-252封装
如果为允许的最大值
θ
JA
被发现是
≥
103°
C / W （典型额定值）的TO- 252封装，无散热器
是必要的，因为单独的包将消散足够的热量
为满足这些要求。如果对所计算的值
θ
JA
低于这些限度，带散热片是必需的。
作为一个辅助设计，
表1
显示的值
θ
JA
的TO- 252
针对不同的散热面积。我们所用的铜图形
测量这些
θ
JA
s的显示在应用程序的结束
注意事项部分。
图9
体现了相同的测试结果为是什么
在
表1中。
图10
显示了最大允许功耗
与环境温度为TO- 252器件。
图11
显示了最大允许功耗与铜
区域（在
2
）为TO- 252器件。请参阅AN- 1028
热增强技术能与SOT- 223使用
和TO- 252封装。
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