HY29F080
为了消除总线冲突， HY29F080有
独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
器件编程时，每次执行一个字节
通过执行四循环程序命令。
这将启动一个内部算法， automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
该HY29F080的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令。这将启动一个
内部算法自动preprograms
阵列（如果它尚未被编程）之前
在执行擦除操作。在擦除
擦除周期后，设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
为了保护设备中的数据不被意外或
未经授权擅自进行编程或擦除
设备，而它是在系统中（例如，由病毒） ，
框图
DQ [7：0 ]
该器件具有一个部门组保护功能
其中硬件写保护选定行业
组。该部门组保护和取消保护
特征可在PROM编程来使能。
临时机构撤消，要求高
电压，使得在系统内的擦除和代码
改变以前受保护的行业。
擦除挂起使用户把擦除
持为任何一段时间，以从读出的数据，或
未被选择的节目数据，以，任何扇区
擦除。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
从设备中读取数据类似于阅读
从SRAM或EPROM器件。硬件数据
保护措施包括低V
CC
探测器
自动抑制在写操作
电源转换。
主机可以将器件置于备用
模式。功耗大大降低
此模式。
RY / BY ＃
DQ [7：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
RESET＃
状态
控制
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
电子
ID
数据锁存器
节目
电压
发电机
y解码器
Y型GATING
8兆位闪存
内存
ARRAY
（16× 512千比特
行业）
V
CC
A[19:0]
V
C C
探测器
定时器
地址锁存
V
SS
X解码器
2
修订版6.1 / 5月1日
