KBU6A THRU KBU6M

威世通用半导体

100

1000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

1

结电容（pF ）

100

0.1

0.6

10

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性每二极管

图5.典型结电容每二极管

100

瞬时反向电流（ μA ）

10

T

J

= 100 °C

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图4.典型的反向漏电特性每二极管

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

机箱样式KBU

0.160 (4.1)

0.140 (3.6)

0.935 (23.7)

0.895 (22.7)

0.185 (4.7)

0.165 (4.2)

45°

0.085 (2.2)

0.065 (1.7)

0.455 (11.3)

0.405 (10.3)

0.760

(19.3)

马克斯。

0.700

(17.8)

0.660

(16.8)

0.075 （ 1.9 ）R TYP 。 （ 2处）

1.0

(25.4)

分钟。

0.052 (1.3)

0.048 (1.2)

DIA 。

0.220 (5.6)

0.180 (4.6)

0.240 (6.09)

0.200 (5.08)

0.205 (5.2)

0.185 (4.7)

0.280 (7.1)

0.260 (6.6)

文档编号： 88657

修订： 15 -APR- 08

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