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ISL6567
7
6
R
BIASmin
（千欧毫安）
5
此组件的功耗水平。尽管图
18至20假定5V ，设计辅助工具的VCC电压
曲线可以由被转换成一个不同的VCC电压
把它们中的电压差的量，以
左为低的VCC电压，或者以更高的权
VCC电压。
如果简单的串联偏置电阻配置功亏一篑
提供必要的偏置电流，内部分流的
调节器可用于与外部的BJT
晶体管以增加并联稳压器的电流。图21
详细信息，例如利用一个PNP晶体管的实施方案。
选择的R
1
可以基于所提供的图形
被动式稳压器配置。最大功率耗散
里面的Q
1
将发生时的最大电压被施加
到电路和ISL6567被禁用;确定
I
VREGMAX
由图18和使用反向使用该图的
得到的数量来计算Q
1
功耗。
ISL6567
外部电路
PVCC
V
IN
POR
电路
VCC
Q1
E / A
-
+
VREF
R2
（可选）
R1
4
3
2
1
0
6
7
8
9
V
INMIN
(V)
10
11
图19.归电阻值处于被动
CON组fi guration ; V
VCC
= 5V
图20详细介绍了标准化的最大功耗
R
BIAS
将受在给定的应用程序。要使用
提供的图表，找到功耗水平
对应于最小输入电压和输入
电压范围和最大期望偏差乘以
电流，以获得最大功率Ro
BIAS
将消散。
150
135
120
P
MAX_RBIAS
（毫瓦/ mA）的
105
90
75
60
45
30
15
0
6
7
8
9
V
INMIN
(V)
10
11
ΔV
IN
= 1V
ΔV
IN
= 2V
ΔV
IN
= 3V
ΔV
IN
= 4V
ΔV
IN
= 5V
ΔV
IN
= 6V
ΔV
IN
= 7V
ΔV
IN
= 8V
VREG
并联稳压器
图21.内部并联稳压器可连接使用
外部PNP晶体管（ ACTIVE
配置）
一个NPN晶体管也可以用于增加
最大可用的偏置电流，如图22 。
作为系列的导通元件，Q
1
将耗散的最
当电源电路启用和运行，以及
输入电压V
IN
是处于其最高水平。
随着中显示的一系列通元件配置
图22中的输入和之间的差
在VCC管脚管制级别必须比越高
最低可接受V
CE
Q的
1
（可以选择运行Q
1
INTO
饱和度，但必须考虑降低增益） 。因此，R
2
已被选择为使得它会提供适当的碱
目前以最低的V
CE
Q的
1
。接下来，确保ISL6567的
I
VREGMAX
当输入电压摆动到不超过
它的最高极限（假定基极电流变为0时，
该IC是禁用的） 。
1
是一个可选的电路元件：它可以是
增加抵消了一些在Q的功耗
1
的，但它
也减少了可用V
CE
对于Q
1
。如果利用这样一
串联电阻，检查，它并没有在正确的阻碍
图20.归一化电阻的功率耗散
（为选中图17 ）与最低
输入电压; V
VCC
= 5V
交替地，最大功率在'r耗散
BIAS
可以使用公式13来计算。
P
MAXRBIAS
=
(
V
INMAX
–
V
VCC
)
I
BIAS
（当量13）的
在偏置电阻最大功耗会
放置在输入电压范围的上限。选择
电阻与功率耗散额定值以上计算
价值和注重设计相关的方面
18
FN9243.3
2009年5月28日
