ISL6439 ， ISL6439A
建议尽量减少在整个电压降
在上部的导通时间自举电容
MOSFET。初步计算，采用V
BOOT2
不低于4V少
很快就会有助于缩小自举电容范围。
例如，可以考虑上部MOSFET的选择与
最大栅极电荷Q
g
， 100nC的。限制电压
自举电容两端下降到一个值1V结果
不小于0.1μF 。该陶瓷电容器的公差
在选择最终引导时，也应考虑
电容值。
在选择时的快速恢复二极管建议
自举二极管以降低反向恢复的影响
电荷损失。否则，恢复电荷Q
RR
，会
已经被添加到所述MOSFET的栅极电荷和
计算最低时考虑到
自举电容。
ISL6439 DC / DC转换器应用
电路
图8示出的DC / DC转换器的应用电路。
详细信息电路，包括一个完整的
比尔 - 的材料和电路板的描述，可以发现
在ISL6439应用笔记。
3.3V
C
1
0.1μF
11
TP
1
4
CT1
ISL6439
C
4
0.22μF
5
CT2
10
1
BOOT
13
C
7
UGATE
相
启用
9
启用
LGATE
COMP
8
C
10
33pF
R
2
C
11
FB
7
R
3
2.26kΩ
R
4
R
5
1.07kΩ
124Ω
C
12
8200pF
GND
14
12
L
1
2.5V @ 5A
0.1μF
CPVOUT
3
D
1
C
5
10μF
陶瓷的
VCC
OCSET
U
1
6
TP
3
R
1
9.76kΩ
C
2
1000pF
C
3
GND
C
6
1μF
CPGND
GND
2
Q
1
C
8,9
6.49kΩ 5600pF
图8： 3.3V至2.5V 5A DC / DC转换器
组件选择的注意事项：
C
3,8,9
- 每一个150μF ，松下EEF - UE0J151R或同等学历。
D1 - 30毫安肖特基二极管， MA732或同等
L
1
- 1μH电感，松下P / N ETQ - P6F1ROSFA或同等学历。
Q
1
- 飞兆半导体的MOSFET ; ITF86110DK8 。
13
FN9057.5
2008年11月5日
