IRFZ44S ， IRFZ44L ， SiHFZ44S ， SiHFZ44L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ44S ， SiHFZ44S ）
低调的通孔（ IRFZ44L ， SiHFZ44L ）
175°C的工作温度
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现extermely低
每硅片面积的阻力。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
在很宽的extermely高效reliabel deviece使用
各种应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通电阻
在任何现有的表面贴装封装。对D
2
Pak是
适合的，因为其低的高电流的应用
内部的连接电阻，并且可以消散到为2.0W
在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ44L / SiHFZ44L ）可
为低轮廓的应用程序。
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ44SPbF
SiHFZ44S-E3
IRFZ44S
SiHFZ44S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ44STRRPbF
a
SiHFZ44STR-E3
a
IRFZ44STRR
a
SiHFZ44STR
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ44STRLPbF
a
SiHFZ44STL-E3
a
IRFZ44STRL
a
SiHFZ44STL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFZ44LPbF
SiHFZ44L-E3
IRFZ44L
SiHFZ44L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
f
栅源电压
f
连续漏电流
e
连续漏电流
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，F
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度
d
)
笔记
a.
b.
c.
d.
e.
符号
V
DS
V
GS
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
E
AS
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
60
± 20
50
36
200
1.0
100
3.7
150
4.5
- 55 + 175
300
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
V
DD
= 25 V ;起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
I
SD
≤
51 A， di / dt的
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
1.6毫米的情况。
基于最大允许结温计算的连续电流。
F。使用IRFZ44 / SiHFZ44数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91293
S-挂起-REV 。 A， 23 -JUL- 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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