IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
46
11
22
单身
60
0.050
特点
先进的工艺技术
表面贴装
低调的通孔（ IRFZ34L / SiHFZ34L ）
175°C的工作温度
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
D
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
D
S
G
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
PAKis表面贴装能力功率封装
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
低的内部连接电阻和可耗散高达2
W的一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ34L / SiHFZ34L ）可
对低调的申请。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34SPbF
SiHFZ34S-E3
IRFZ34S
SiHFZ34S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34STRRPbF
a
SiHFZ34STRPbF
a
IRFZ34STRR
a
SiHFZ34STR
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34STRLPbF
a
SiHFZ34STLPbF
a
IRFZ34STRL
a
SiHFZ34STL
a
I
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34LPbF
SiHFZ34L-E3
IRFZ34L
SiHFZ34L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
极限
60
± 20
30
21
120
0.59
200
88
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 260 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 30 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
30 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFZ34 / SiHFZ34数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90368
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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