IRF730AS ， SiHF730AS ， IRF730AL ， SiHF730AL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（最大） （ Ω ）
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
22
5.8
9.3
单身
D
特点
400
1.0
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
高Sspeed电源开关
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
单管反激XFMR 。重置
单管正激XFMR 。重置
（只有我们两个线路输入）
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF730ASPbF
SiHF730AS-E3
IRF730AS
SiHF730AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF730ASTRLPbF
a
SiHF730ASTL-E3
a
IRF730ASTRL
a
SiHF730ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF730ASTRRPbF
a
SiHF730ASTR-E3
a
-
-
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF730ALPbF
SiHFL014T-E3
-
-
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
能源
a
T
C
= 25 °C
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
400
± 30
5.5
3.5
22
0.6
290
5.5
7.4
74
4.6
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩
当前
a
Repetiitive雪崩
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 19 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.5 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF730A / SiHF730A数据和测试条件
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91046
S-挂起-REV 。 A， 30 08年5月
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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