
IRF634N , IRF634NL , IRF634NS , SiHF634N , SiHF634NL , SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
34
6.5
16
单身
250
0.435
特点
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
I
2
PAK ( TO- 262 )
TO-220
D
S
G
D
G
D
2
PAK ( TO-263 )
S
N沟道
MOSFET
克
S
Vishay的第五代功率MOSFET采用
先进的加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置,用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
对D
2
PAK ( TO- 263 )是一种表面贴装功率封装
可容纳的芯片尺寸最多HEX -4 。它提供
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻,在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
PAK ( TO-263 ) ,适用于大电流的应用
因为它的低的内部连接电阻和能的
耗散高达2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版( IRF634NL / SiHF634NL )是
适用于薄型应用。
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220
IRF634NPbF
SiHF634N-E3
IRF634N
SiHF634N
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF634NSPbF
SiHF634NS-E3
IRF634NS
SiHF634NS
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF634NSTRLPbF
a
SiHF634NSTL-E3
a
IRF634NSTRL
a
SiHF634NSTL
a
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF634NSTRRPbF
a
SiHF634NSTR-E3
a
IRF634NSTRR
a
SiHF634NSTR
a
I
2
PAK ( TO- 262 )
IRF634NLPbF
SiHF634NL-E3
-
-
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩
能源
a
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91033
S-挂起-REV 。 A, 19军08
www.vishay.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
250
± 20
8.0
5.6
32
0.59
110
4.8
8.8
W / ℃,
mJ
A
mJ
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS