IL250/251/252/ILD250/251/252
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，具有基本连接
绝对最大额定值
参数
输入
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
功耗单通道
功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
耦合器
隔离测试电压（发射极之间
和探测器简称气候标准23 ° C /
相对湿度50％ ，DIN 50014 ）
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
总功耗单通道
总功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
I
F
P
DISS
60
100
1.33
30
5.0
70
200
150
2.6
2.0
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
10
12
10
11
250
400
3.3
5.3
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
°C
s
T
英镑
T
AMB
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
I
F
= ±16 mA时，我
C
= 2.0毫安
V
CESAT
0.4
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100 A
I
C
= 10 A
V
CE
= 10 V
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
30
7.0
70
50
10
90
5.0
50
V
V
V
nA
I
F
= - 10毫安
V
F
1.2
1.5
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
336
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
