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WCLK
1
t
ENS
t
DS
W
3
W
4
t
SKEW2
2
3
1
2
(2)
t
DS
W
[n +2]
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m-2]
W
[D-m-1]
W
[D- M]。
W
[D-m+1]
W
[D-m+2]
W
[D-1]
W
[
D-1
W
D
t
DH
t
DS
t
DS
W
[
D-1
t
ENH
D
0
- D
17
W
1
W
2
]
]
W
[
D-1
]
t
SKEW3
(1)
RCLK
1
t
A
W
1
t
REF
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
Q
0
- Q
17
输出寄存器数据
t
PAE
t
HF
t
PAF
t
WFF
4670 DRW 12
注意事项：
1. t
SKEW3
是一个上升缘WCLK和RCLK上升边缘，以保证之间的最小时间
OR
经过两次RCLK周期加T将变低
REF
。如果WCLK的上升沿之间的时间
和RCLK的上升沿小于吨
SKEW3
，然后
OR
断言可能会延迟一个额外的RCLK周期。
2. t
SKEW2
是一个上升缘WCLK和RCLK上升边缘，以保证之间的最小时间
PAE
会后1 RCLK周期加T高
PAE
。如果WCLK的上升沿之间的时间
和RCLK的上升沿小于吨
SKEW2
，则
PAE
取消断言可能会延迟一个额外的RCLK周期。
3.
LD
= HIGH ，
OE
= LOW
4. n =
PAE
偏移时，m =
PAF
偏移和D =最大FIFO深度。
5. D = 8193的IDT72255LA和16385的IDT72265LA 。
6.第一个字潜伏期：为60ns + T
REF
+ 2*T
RCLK
.
图9.写时序（第一个字告吹模式）
商用和工业温度范围
18
