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200PIN无缓冲DDR2 SDRAM SO- DIMM内存模块基于1Gb的型C
这海力士缓冲小外形双列直插内存模块（DIMM ）系列包括千兆型C DDR2
SDRAM芯片中的精细球栅阵列（ FBGA ）上的200PIN玻璃环氧基板封装。这海力士1Gb的版本基于C
无缓冲DDR2 SO- DIMM系列提供的行业67.60毫米宽度的外形尺寸高性能的8字节接口
试标准。它适合于方便的交换和加法。
特点
JEDEC标准的双倍数据速率2同步
的DRAM （ DDR2 SDRAM芯片）与1.8V +/- 0.1V电源
供应
所有输入和输出都与SSTL_1.8兼容
接口
中科院发布
可编程CAS延时3 ，4，5 ，和6中
OCD （片外驱动器阻抗调整），并
ODT （片上终端）
全差分时钟的操作（ CK & CK ）
可编程的突发长度4月8日与两个
顺序和交错模式
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
串行存在检测与EEPROM
DDR2 SDRAM包装： 60球（ X8 ） ， 84球（ X16 ）
FBGA
67.60 X 30.00毫米外形
符合RoHS
订购信息
部件名称
HYMP164S64CP6-C4/Y5/S5/S6
HYMP164S64CR6-C4/Y5/S5/S6
HYMP112S64CP6-C4/Y5/S5/S6
HYMP112S64CR6-C4/Y5/S5/S6
HYMP125S64CP8-C4/Y5/S5/S6
HYMP125S64CR8-C4/Y5/S5/S6
密度
512MB
512MB
1GB
1GB
2GB
2GB
组织
64Mx64
64Mx64
128Mx64
128Mx64
256Mx64
256Mx64
排名第
DRAM的
4
4
8
8
16
16
排名第
秩
1
1
2
2
2
2
物料
无铅
无卤
无铅
无卤
无铅
无卤
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
版本1.0 / 2009年12月
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