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互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
表19
交流工作条件
参数
符号
分钟。
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入差分电压， CK和CK输入
输入收盘点电压， CK和CK输入
值
马克斯。
—
V
V
V
单位
记
1)
/
TEST
条件
2)3)
2)3)
2)3)4)
2)3)5)
0.5
×
V
DDQ
–
V
0.2
0.2
1)
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V,
V
DD
= +2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 - DDR333 ） ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V,
V
DD
= +2.6 V
±
0.1 V（ DDR400 ） ; 0
°C ≤
T
A
≤
70
°C
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
V
REF
+ 0.31
—
0.7
V
REF
– 0.31
V
DDQ
+ 0.6
0.5
×
V
DDQ
+
2)
3)
4)
5)
输入转换率= 1 V / ns的。
输入无法识别为有效，直至
V
REF
稳定。
V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK上的输入电平之间的差的量值。
的值
V
IX
预计相当于0.5
×
V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
表20
AC时序 - 绝对规格PC3200和PC2700
参数
符号
–5
DDR400B
分钟。
DQ输出访问时间
CK / CK
CK高电平宽度
时钟周期时间
马克斯。
+0.5
0.55
8
12
12
0.55
–6
DDR333
分钟。
–0.7
0.45
6
6
7.5
0.45
马克斯。
+0.7
0.55
12
12
12
0.55
ns
2)3)4)5)
单位注/
条件
1)
t
AC
t
CH
t
CK
–0.5
0.45
5
6
7.5
t
CK
ns
ns
ns
2)3)4)5)
CL = 3.0
3)4)5)
CL = 2.5
2)3)4)5)
CL = 2.0
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
CK低电平宽度
自动预充电写恢复+
预充电时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
（每个输入）
从DQS输出访问时间
CK / CK
DQS输入低（高）脉冲宽度
（写周期）
DQS -DQ歪斜（ DQS和
相关DQ信号）
写命令1
st
的DQ
闭锁过渡
DQ和DM输入建立时间
t
CL
t
DAL
t
DH
t
DIPW
t
DQSCK
t
DQSL ，H
t
DQSQ
t
DQSS
t
DS
0.45
(
t
WR
/
t
CK
)+(
t
RP
/
t
CK
)
0.4
1.75
–0.6
0.35
—
0.72
0.4
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
—
—
+0.6
—
+0.40
1.25
—
0.45
1.75
–0.6
0.35
—
0.75
0.45
—
—
+0.6
—
+0.40
1.25
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)
t
CK
ns
2)3)4)5)
TFBGA
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
CK
ns
2)3)4)5)
修订版2.3 ， 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
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