HT68F20/HT68F30/HT68F40/HT68F50/HT68F60
HT68FU30/HT68FU40/HT68FU50/HT68FU60
·
EEC注册
位
名字
读/写
POR
第7位... 4
第3位
7
6
5
4
3
雷恩
读/写
0
2
WR
读/写
0
1
RDEN
读/写
0
0
RD
读/写
0
未实现，读为
0
雷恩：
数据EEPROM写使能
0 ：禁用
1 ：启用
这是数据EEPROM写使能位必须设置较高的前向数据EEPROM写
操作被执行。清除该位为零则禁止向数据EEPROM写操作。
第2位
WR ：
EEPROM写控制
0 ：写周期已结束
1 ：激活写周期
这是数据EEPROM写控制位，由应用程序设置为高会
激活一个写周期。该位将写操作后自动复位到零的硬件
周期结束。设置此位高不会有任何影响，如果在WREN未先置高。
第1位
RDEN ：
数据EEPROM读使能
0 ：禁用
1 ：启用
这是数据EEPROM读使能位必须设置为高之前数据EEPROM读
操作被执行。清除该位为零则禁止向数据EEPROM读操作。
位0
RD ：
EEPROM中读取控制
0 ：读周期结束
1 ：激活一个读周期
这是数据EEPROM读控制位，由应用程序设置为高会
激活一个读周期。该位将读取后自动复位到零的硬件
周期结束。设置此位为高将没有任何效果，如果RDEN未首先置高。
注： WREN ， WR ， RDEN和RD不能设置为
1
同时在一个指令。 WR和RD能
不能被设置为
1
同时。
从EEPROM中读取数据
从EEPROM读出的数据时，读使能位
RDEN ， EEC寄存器必须先置高使
能够读取功能。的EEPROM地址
要读取的数据必须被放入EEA寄存器。
若EEC寄存器中的RD位被置高，一个读
周期将开始。若RD位高不initi-
吃了一个读操作，如果RDEN位尚未确定。
当读周期结束，RD位将自动
matically清零，之后，该数据可以是
从EED寄存器中读取。的数据将保持在
EED寄存器中，直到下一次读取或写入操作exe-
cuted 。该应用程序将轮询RD位以DE-
termine时的数据是有效的阅读。
写数据到EEPROM
将数据写入到EEPROM中，写使能位
雷恩，在EEC寄存器必须先置高使
能写功能。的EEPROM地址
要写入的数据然后必须放入EEA寄存器
器，并放置在EED寄存器中的数据。如果WR
EEC寄存器被置高，一个内部写赛扬
第一百将被启动。将WR位高也不会
启动写周期，如果WREN位尚未确定。如
EEPROM的写周期是一个内部控制
恬erwhoseo PE R成为我的是ASY NCH RO没有我们
单片机系统时钟，在一定时间会流逝
前的数据将被写入到EEPROM中。
当写周期完成检测可以被立即
执行完成或者通过轮询EEC寄存器中的WR位
器或通过使用EEPROM中断。当写
周期结束时，WR位将自动
清零由微控制器，通知
该数据已经被写入到EEPROM用户。该
因此，应用程序将轮询WR位以DE-
termine当写周期已结束。
修订版1.10
31
2010年2月1日
