HT68F20/HT68F30/HT68F40/HT68F50/HT68F60
HT68FU30/HT68FU40/HT68FU50/HT68FU60
绝对最大额定值
电源电压........................... V
SS
-0.3V
到V
SS
+6.0V
输入电压.............................. V
SS
-0.3V
到V
DD
+0.3V
I
OL
总................................................. ............... 80毫安
总功率耗散500mW的.....................................
存储温度............................- 50 ° C至125°C
工作温度...........................- 40 ° C至85°C
I
OH
Total..............................................................-80mA
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行
在规范中，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。
直流特性
测试条件
符号
参数
V
DD
工作电压
（ HXT ， ERC ， HIRC ）
条件
f
SYS
=8MHz
V
DD
f
SYS
=12MHz
f
SYS
=20MHz
3V
5V
I
DD1
工作电流，
普通模式中，f
SYS
=f
H
（ HXT ， ERC ， HIRC ）
3V
5V
3V
5V
I
DD2
工作电流，
普通模式中，f
SYS
=f
H
（ HXT ）
工作电流，低速模式下，
f
SYS
=f
L
（ LXT ， LIRC ）
空闲模式0待机电流
（ LXT或LIRC上）
空闲模式待机电流
（ HXT ， ERC ， HIRC ）
休眠模式0待机电流
（ LXT和LIRC关闭）
休眠模式1待机电流
（ LXT或LIRC上）
输入低电压I / O端口或
输入引脚除外RES引脚
输入高电压的I / O端口
或输入引脚除外RES引脚
输入低电压（ RES ）
输入高电压（ RES ）
5V
3V
5V
3V
无负载， WDT启用
5V
3V
5V
3V
无负载， WDT关闭
5V
3V
无负载， WDT启用
5V
无负载， WDT启用
f
SYS
= 12MHz时的
无负载，女
SYS
=f
H
=4MHz,
WDT打开
无负载，女
SYS
=f
H
=8MHz,
WDT打开
无负载，女
SYS
=f
H
=12MHz,
WDT打开
无负载，女
SYS
=f
H
=20MHz,
WDT打开
无负载，女
SYS
=f
L
,
WDT打开
2.2
2.7
4.5
0
0.7V
DD
0
0.9V
DD
0.7
1.8
1.6
3.3
2.2
5.0
6.0
10
30
1.5
3.0
0.55
1.30
1.5
2.5
5.5
5.5
5.5
1.1
2.7
2.4
5.0
3.3
7.5
9.0
20
50
3.0
6.0
0.83
2.00
1
2
3.0
5.0
0.3V
DD
V
DD
0.4V
DD
V
DD
分钟。
典型值。
马克斯。
Ta=25°C
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
I
DD3
I
IDLE0
I
IDLE1
I
SLEEP0
I
SLEEP1
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
修订版1.10
13
2010年2月1日
