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3.功能框图
3.1 1GB ， 128Mx72模块（ X8的1Rank ）
A [ N： O]一
/ BA [N ： O]一
A [ N： O] B
/ BA [N ： O] B
ZQ
RS0A_n
RRASA_n
RS0B_n
RRASB_n
PCK0A_c
RCKE0A
RCASB_n
RCASA_n
RWEA_n
RODT0A
PCK0B_c
RCKE0B
CK_n
CKE
CK_n
CKE
CK_n
CKE
PCK0A_t
RWEB_n
PCK0B_t
RODT0B
ODT
ODT
D8
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
ODT
D4
CAS_N
WE_N
CK_t
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
D3
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
ODT
D5
WE_N
CK_t
RAS_N
CAS_N
CS_N
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
D2
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
D6
CAS_N
WE_N
CK_t
RAS_N
CAS_N
CS_N
ODT
A [ N： O] / BA [N ： O]
D1
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
ODT
D7
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
ODT
A [ N： O] / BA [N ： O]
DQS1_t
DQS1_c
DM1/DQS10_t
DQS10_c
DQ [15：8 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CAS_N
CS_N
ZQ
DQS7_t
DQS7_c
DM7/DQS16_t
DQS16_c
DQ [ 63:56 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CAS_N
CS_N
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
ZQ
DQS2_t
DQS2_c
DM2/DQS11_t
DQS11_c
DQ [ 23:16]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
ZQ
DQS6_t
DQS6_c
DM6/DQS15-t
DQS15_c
DQ [ 55:48 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CS_N
ODT
A [ 0：N ] / BA [N ： O]
ZQ
DQS3_t
DQS3_c
DM3/DQS12_t
DQS12_c
DQ [ 31:24]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
ZQ
DQS5_t
DQS5_c
DM5/DQS14_t
DQS14_c
DQ [ 47:40 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CAS_N
CS_N
A [ 0：N ] / BA [ 0：N ]
ZQ
A [ N： O] / BA [N ： O]
DQS8_t
DQS8_c
DM8/DQS17_t
DQS17_c
CB [7：0 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CAS_N
CS_N
ZQ
DQS4_t
DQS4_c
DM4/DQS13_t
DQS13_c
DQ [ 39:32 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CS_N
V
DDSPD
V
DD
V
TT
VREFCA
VREFDQ
V
SS
SPD
D0–D8
D0–D8
D0–D8
D0–D8
D0
WE_N
CK_n
CKE
CK_t
ODT
A [ N： O] / BA [N ： O]
DQS0_t
DQS0_c
DM0/DQS9_t
DQS9_c
DQ [7：0 ]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
DQ [7：0 ]
RAS_N
CAS_N
CS_N
ZQ
VTT
注意：
1.DQ到I / O接线可字节内改变。
2.ZQ电阻
240
±
。对于所有其他电阻值的1％参考
相应的接线图。
VTT
S0_n
S1_n
BA [N ： 0 ]
A [ N： 0 ]
RAS_N
CAS_N
WE_N
CKE0
ODT0
CK0_t
CK0_c
CK1_t
CK1_c
Par_In
120
±
1%
120
±
1%
1:
2
R
E
G
I
S
T
E
R
/
P
L
L
OERR_n
RST_N
RS0A_n
→
CS0_n ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RS0BCK_n
→
CS0_n ： SDRAM的D [ 7：4]
RBA [N ： 0 ]答
→
BA [N ：0]： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RBA [N ： 0 ] B
→
BA [N ：0]： SDRAM的D [ 7：4]
RA [N ： 0 ]答
→
A [ N： 0] ： SDRAM的D [ 3 ： 0 ] ， D8
RA [N ： 0 ] B
→
A [ N： 0] ： SDRAM的D [ 7 ： 4 ]
RRASA_n
→
RAS_n ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RRASB_n
→
RAS_n ： SDRAM的D [ 7：4]
RCASA_n
→
CAS_n ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RCASB_n
→
CAS_n ： SDRAM的D [ 7：4]
RWEA_n
→
WE_n ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RWEB_n
→
WE_n ： SDRAM的D [ 7：4]
RCKE0A
→
CKE0 ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RCKE0B
→
CKE0 ： SDRAM的D [ 7：4]
RODT0A
→
ODT0 ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
RODT0B
→
ODT0 ： SDRAM的D [ 7：4]
PCK0A_t
→
CK_t ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
PCK0B_t
→
CK_t ： SDRAM的D [ 7：4]
PCK0A_c
→
CK_c ： SDRAM的D [ 3：0] ， D8的
PCK0B_c
→
CK_c ： SDRAM的D [ 7：4]
Err_Out_n
VDDSPD
EVENT
SCL
SDA
VDDSPD
SA0
SA0
SA1
SA2
VSS
EVENT
SPD与
SA1
集成
SA2
SCL
TS
VSS
SDA
计划使用SPD与集成TS B类和
对客户的请求可能会被改变。欲了解更多
SPD及温度传感器的详细信息，请联系
当地的海力士的销售代表
RST_N ： SDRAM的D [ 8：0]
S [ 3：2] ， CKE1 ， ODT1 ，是NC（未使用的寄存器的输入端ODT1和CKE1有120 ... 330Ω
接地电阻
RESET_N
修订版0.1 / 2009年4月
11
