位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HMT125R7BFR4C-G7 > HMT125R7BFR4C-G7 PDF资料 > HMT125R7BFR4C-G7 PDF资料1第6页
输入/输出功能描述
符号
CK0
CK0
CK1
CK1
TYPE
IN
IN
IN
IN
极性
积极
LINE
负
LINE
积极
LINE
负
LINE
活跃
高
功能
差分对的系统时钟输入的正线，其驱动输入到导通
DIMM时钟驱动器。
差分对的系统时钟输入的负线驱动输入到
在- DIMM时钟驱动器。
终止而上的RDIMM不使用。
终止而上的RDIMM不使用。
CKE高电平激活，和CKE低停用内部时钟信号，并且设备的输入
缓冲器和SDRAM芯片的输出驱动器。以CKE LOW提供预充电
掉电和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER DOWN
（行积极参与任何银行）
启用命令解码器时低， SDRAM显示的相关排名
冷杉解码器时高。当解码器被禁用，新的命令将被忽略
和以前的行动仍在继续。这些输入信号的其它组合进行
独特的功能，包括禁用所有输出（除CKE和ODT ）寄存器（ S）
DIMM上的或访问的寄存器器件（多个）内部的控制字。对于模块
有两个寄存器， S [ 3：2]类似地操作到S [ 1：0]为第二组寄存器输出的
提出或注册控制字。
片上终端的控制信号
当采样时钟， CAS ， RAS ，阳性上升沿和我们定义的
操作以由SDRAM中执行。
参考电压DQ0 - DQ63和CB0 - CB7 。
参考电压为A0 -A15 ， BA0 - BA2 ， RAS ， CAS，WE ， S0 ， S1 ， CKE0 ， CKE1 ， Par_In ，
ODT0和ODT1 。
其中8 SDRAM银行被激活选择。
BA0 - BA2确定哪个银行的积极，读，写或预充电命令是
应用。银行地址也决定了模式寄存器是一个MRS期间访问
周期。
所提供的行地址为有效的命令和列地址
和自动预充电位读/写命令，选择一个位置出来的MEM-的
储器阵列中的各行。预充电命令时A10进行采样，以确定
矿井是否预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果
只有一家银行将被预充电，该行被选中学士学位。 A12也用于BL
4/8鉴定“ ” CAS命令期间“随时BL ” 。地址输入还亲
韦迪在模式寄存器设置命令的操作码。
数据和校验位输入/输出引脚
口罩写入数据时的高，同时具有输入数据发出。
电源和接地的DDR SDRAM输入缓冲器和核心逻辑。
终止电压为地址/命令/控制/时钟网络。
CKE [1 ：0]的
IN
S[3:0]
IN
活跃
低
ODT [1：0 ]
RAS ， CAS ， WE
V
REFDQ
V
REFCA
IN
IN
供应
供应
活跃
高
活跃
低
BA [ 2 ：0]的
IN
—
A[15:13,
12/BC,11,
10 / AP ， [9：0 ]
IN
—
DQ [63： 0]，
CB [7：0 ]
DM [ 8：0]
V
DD
, V
SS
V
TT
I / O
IN
供应
供应
—
活跃
高
版本1.0 / 2009年12月
6
