位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HMT125R7BFR4C-G7 > HMT125R7BFR4C-G7 PDF资料 > HMT125R7BFR4C-G7 PDF资料1第25页
AC和DC输入电平信号端信号
DDR3 SDRAM将支持如表中指定了两个VIH /德维尔AC水平DDR3-800和DDR3-1066
下文。 DDR3 SDRAM也将支持“ DDR3设备对应的TDS值（表41和表47
操作“ ），以及在表44的降额表”根据VIH /德维尔AC列弗DDR3设备操作“
ELS 。
单端交流和直流输入电平为DQ和DM
DDR3-800/1066
符号
VIH.CA(DC100)
VIL.CA(DC100)
VIH.CA(AC175)
VIL.CA(AC175)
VIH.CA(AC150)
VIL.CA(AC150)
V
RefDQ （ DC
)
参数
民
DC输入逻辑高
VREF + 0.100
DC输入逻辑低
VSS
AC输入逻辑高
VREF + 0.175
AC输入逻辑低
Note2
AC输入逻辑高
VREF + 0.150
AC输入逻辑低
Note2
参考电压DQ ，
0.49 * VDD
DM输入
最大
VDD
VREF - 0.100
Note2
VREF - 0.175
Note2
VREF - 0.150
0.51 * VDD
民
VREF + 0.100
VSS
-
-
VREF + 0.150
Note2
0.49 * VDD
最大
VDD
VREF - 0.100
-
-
Note2
VREF - 0.150
0.51 * VDD
V
V
V
V
V
V
V
1
1
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
3, 4
DDR3-1333
单位注
注意事项：
1. Vref的= VrefDQ （DC）。
2.参考“过冲和下冲规范”第37页。
3. V交流峰值噪声
REF
不允许V
REF
从V偏离
REFDQ （DC）的
通过超过+/- 1％的VDD （为
参考：约。 +/- 15毫伏） 。
4.供参考：约。 VDD / 2 ±15 mV的。
版本1.0 / 2009年12月
25
