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1
注册240PIN DDR2 SDRAM DIMM内存模块
DDR2-400
参数
写后同步
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
阅读序言
阅读后同步
自动刷新主动/自动刷新命令期
行有效至行主动延迟为1KB的页面大小
行有效至行主动延迟为2KB页大小
四激活窗口为1KB的页面大小
四激活窗口为2KB页大小
CAS到CAS命令延迟
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
写读命令延迟
内部读取到预充电命令延迟
退出自刷新到非读命令
退出自刷新到一个读命令
出口预充电功率降低到任何非读命令
退出有功功率下降到读命令
退出有功功率下降到读命令
（慢射，更低的功耗）
CKE最小脉冲宽度
（高和低脉冲宽度）
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（省电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT断电进入潜伏期
ODT掉电退出延时
OCD驱动模式输出延迟
最短时间时钟CKE后仍开
异步降到低
平均周期刷新间隔
tREFI
-
3.9
-
3.9
us
3
DDR2-533
单位注
民
0.4
250
375
0.9
0.4
127.5
7.5
10
37.5
50
2
-
-
-
15
tWR的+ tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
-
-
200
2
2
6 - AL
3
2
2
TAC （分钟）
tAC(min)+2
2.5
TAC （分钟）
tAC(min)+2
3
8
12
0
TIS + TCK + TIH
12
2
tAC(max)+1
2tCK+tAC(m
ax)+1
2.5
TAC （最大） +
0.6
2.5tCK+tAC(
max)+1
-
-
-
-
-
符号
民
tWPST
TIS
TIH
tRPRE
tRPST
tRFC
TRRD
TRRD
tFAW
tFAW
TCCD
tWR的
tDAL
Twtr
tRTP
tXSNR
tXSRD
TXP
tXARD
tXARDS
Tcke
tAOND
tAON
tAONPD
tAOFD
tAOF
tAOFPD
tANPD
tAXPD
TOIT
tDELAY时间
tREFI
0.4
350
475
0.9
0.4
127.5
7.5
10
37.5
50
2
15
tWR的+ tRP的
10
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
3
2
TAC （分钟）
tAC(min)+2
2.5
TAC （分钟）
tAC(min)+2
3
8
0
TIS + TCK + TIH
-
7.8
最大
0.6
-
-
1.1
0.6
-
-
-
-
-
最大
0.6
-
-
1.1
0.6
-
-
-
-
-
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
TCK
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
TCK
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
7.8
us
2
tAC(max)+1
2tCK+tAC(m
ax)+1
2.5
TAC （最大） +
0.6
2.5tCK+tAC(
max)+1
-
注意：
1.对于细节和注意事项，请参阅相关的HYNIX成分表H5PS1G [ 4,8 ] 3EFR 。
2. 0°C
≤
T
例
≤
85°C
3.
85°C
＜
T
例
≤
95°C
修订版0.3 / 2008年10月
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