HMC635LC4
v00.1008
的GaAs PHEMT MMIC驱动程序
放大器， 18 - 40 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
4.5
5.0
5.5
IDD （MA ）
277
280
绝对最大额定值
漏偏置电压（ VDD1 ，2，3 ，4）
栅极偏置电压（ VGG1 ， Vgg2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 70 ° C）
（减免15.1毫瓦/°C， 70°C以上）
热阻
（信道封装基地）
储存温度
工作温度
+5.5V
-3至0V
15 dBm的
175 °C
1.575 W
66.4 ° C / W
-65至+150°C
-55至+70°C
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 175
286
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30-80
微英寸的镀金50微英寸的最低镍。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积。
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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