v02.0500
微波公司
HMC281
砷化镓MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
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放大器 - CHIP
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或导电环氧树脂（见HMC
一般的搬运，安装，焊接注） 。
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜衬底recom-欧姆微带传输线
荐用于使射频和从芯片（图1） 。如果0.254毫米（ 10 mil）厚铝薄液膜
基板必须用的模具应提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是
共面与基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4密耳）的
厚的芯片到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片），然后将附着于
接地平面（图2） 。
微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以最小化键合线
长度。典型的模具与基板的间距0.076毫米（3密耳）。 0.076毫米× 0.013毫米金丝带（ 3
密尔×0.5密尔）的建议以降低电感的RF端口。 0.025毫米（ 1密耳）直径的球或
楔形键是可以接受的直流偏置连接。
射频旁路电容应使用在VDD & VGG输入。 100 pF的单电层电容器（安装
共晶或导电环氧树脂）放在没有比0.762毫米（ 30密耳），从芯片的recom-
谁料。
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