主要的修订此版
项
所有
页面
修订（见手册详细）
公司名称和品牌名称修订
（前）日立制作所
→
（后），瑞萨科技公司
指定的类别修正
（前） H8 / 3857系列
→
（后） H8 / 3857群
（前） H8 / 3854系列
→
（后） H8 / 3854群
低地址端[ H'0000 ]
2.2.1一般
注册
图2.2堆栈
指针
29
图修正
未使用的区域
SP （R 7）
堆栈区
高地址端[ H'FFFF ]
4.3副时钟
发电机
表4.2 DC
特点和
定时
98
表修订情况
(V
CC
= 2.7 V至5.5 V的H8 / 3852的掩膜ROM版本，
H8 / 3853和H8 / 3854 ，V
CC
= 3.0 V至5.5 V H8 / 3854F和
H8 / 3857群， AV
CC
= 3.0 V至5.5 V ，V
SS
= AV
SS
= 0.0 V,
T
a
= -20℃至+ 75℃ * ，除非另有说明，包括
子激活模式）
表注意事项修正
注意：
*
温度确保作为电
特点为模具类产品为75 ℃。
6.2.1产品特点
120
修订说明
编程/擦除方法
闪速存储器编程的32个字节的时间。擦除
以块为单位进行的。要删除多个块，每个块
必须依次被擦除。在块擦除， 1K字节， 28字节， 16
千字节和12千字节的块，可任意设定。
6.5.4擦除验证
模式
143
修订说明
的擦除时间的经过后，擦除模式退出（电子
在FLMCR1位被清除，则在FLMCR2的ESU位
至少清零（α）的
μs
更高版本）。
2007年Rev.3.00 7月19日，第VII二十四中
REJ09B0397-0300
