HAT1036R
硅P沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1149-0700
（上一个： ADE- 208-662E ）
Rev.7.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 11毫欧（典型值）
能够-4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
5 6 7 8
D D D D
65
87
3
12
4
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S S S
1 2 3
Rev.7.00 2005年9月7日第1页6
