HAL5xx
5.应用笔记
5.1 。环境温度
由于内部功耗，温度
在硅芯片上（结温度T
J
）较高
除套餐外的温度（环境温
perature牛逼
A
).
T
J
= T
A
+
T
在静态条件下，下面的等式成立：
T
= I
DD
* V
DD
* R
th
对于典型的价值观，用典型的参数。最差
计算的情况下，使用最大。因为我的参数
DD
和
R
th
和最大值。值V
DD
从该应用程序。
对于所有的传感器，结温范围T
J
is
指定的。最高环境温度T
AMAX
可以计算为：
T
AMAX
= T
JMAX
–
T
5.2 。延长工作条件
所有的传感器满足了电和磁characteris-
抽搐时，推荐工作范围内运行
条件（见第7页） 。
电源电压低于3.8 V
典型地，该传感器用电源电压的操作
以上3伏，但是，低于3.8的V某些特征
可以是本说明书之外。
注意：
传感器的下方3.8 V的功能还没有
经过测试。对于特殊的试验条件，请联系
Micronas公司。
5.3 。启动行为
由于活性偏移补偿，该传感器具有
初始化时间（启用时间t
EN（ O）
）后申请
电源电压。参数t
EN（ O）
在被指定
电气特性（见第8页） 。
在初始化时，输出状态不是DE-
罚款和输出可以切换。吨后
EN（ O）
时，输出
将是低的，如果所施加的磁场B是上述的乙
ON
.
输出将是高的，如果B是下面乙
关闭
。在案件森
感器用倒置开关特性（ HAL 516 ...
HAL519 ） ，输出状态会高，如果B > B
关闭
低
如果B < B
ON
.
对于B之间的磁场
关闭
和B
ON
时，输出
HAL的传感器的应用V后的状态
DD
将任一
低或高。为了实现一个良好定义的输出
状态时，所施加的磁场必须高于乙
最大持续时间
,
分别低于B
最小间歇
.
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MICRONAS
图。 5-1 ：
对于EMC的调查测试电路
注意：
国际标准ISO 7637是类似于
所使用的产品标准DIN 40839 。
请联系Micronas公司的详细调查
报告与EMC和ESD的结果。
5.4 。 EMC和ESD
用于与电源线路上的干扰或应用
辐射干扰，一个串联电阻和一个电容器
推荐（见附图5-1）。该系列电阻器
和电容应尽可能接近放置的POS-
sible到HAL的传感器。
这种结构的应用程序通过EMC
按照产品标准DIN 40839测试。
R
V
220
1
V
EMC
V
P
4.7 nF的
2
GND
V
DD
OUT
3
20 pF的
R
L
1.2 k
