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H5N2801P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G0118-0100Z

Rev.1.00

Oct.01.2003

特点

低导通电阻

低驱动电流

高速开关

概要

TO-3P

D

G

1

S

2

3

1.门

2.漏（法兰）

3.源

Rev.1.00 ， Oct.01.2003 ，页9 1

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