GSIB420通GSIB480

威世通用半导体

100

1000

T

J

= 150 °C

正向电流（A ）

10

结电容（pF ）

1.3

100

1

T

J

= 25 °C

T

J

= 125 °C

0.1

10

0.01

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性每二极管

图5.典型结电容每二极管

1000

T

J

= 150 °C

100

T

J

= 125 °C

10

100

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

100

瞬时反向电流（ μA ）

10

1

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

20

40

60

80

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 加热时间（s ）

每二极管图4.典型的反向特性

图每二极管6.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

机箱样式GSIB -3G

0.118 ×45 °倒角

0.996 (25.3)

0.972 (24.7)

0.492

(12.5)

0.134 (3.4)

0.122 (3.1)

DIA 。

0.150 (3.8)

0.134 (3.4)

详细

扩大

0.602 (15.3)

0.579 (14.7)

0.157 (4.0) +

0.057 (1.45)

0.041 (1.05)

0.709 (18.0)

0.669 (17.0)

0.059

(1.50)

0.382 (9.7)

0.366 (9.3)

Z

0.146 (3.7)

0.130 (3.3)

0.709 (18.0)

0.669 (17.0)

0.078 (1.98)

0.062 (1.58)

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA 。

0.012

(0.30)

0.189 (4.8)

0.173 (4.4)

0.303 (7.7)

(3 x)

0.287 (7.3)

0.126 (3.2)

0.110 (2.8)

文档编号： 88647

修订： 31 -JAN- 08

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