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GS71116ATP/J/U
读周期2 ： WE = V
IH
TRC
地址
TAA
CE
TAC
TLZ
UB ， LB
OE
tBLZ
TOE
数据输出
TOLZ
高阻抗
TAB
tBHZ
tOHZ
数据有效
太赫兹
写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节使能，以结束写的
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ）
输出低Z从写结束
写在高Z输出
符号
TWC
TAW
TCW
TBW
TDW
TDH
TWP
TAS
tWR的
tWR1
TWLZ
*
tWHZ
*
-7
民
7
5
5
5
3.5
0
5
0
0
0
3
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3
民
8
5.5
5.5
5.5
4
0
5.5
0
0
0
3
—
-8
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
民
10
7
7
7
5
0
7
0
0
0
3
—
-10
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
民
12
8
8
8
6
0
8
0
0
0
3
—
-12
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
冯： 1.07 2004年12月
8/16
2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
