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LG的Semicon
整页读/写周期
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
地址
DQM ，
DQMU / DQML
R：A
C：一个
R： B
GM72V66841CT/CLT
V
IH
..
DQ （输出）
DQ （输入）
Bank0
活跃
Bank0
读
Bank3
活跃
a
a+1 a+2 a+3
a-2 a-1
a
. .
.. ..
a+1 a+2 a+3 a+4 a+5
高-Z
BURST
停止
Bank3
预充电
读周期
RAS -CAS延迟= 3
CAS延时= 3
突发长度= 4
= VIH或VIL
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
地址
DQM ，
DQMU / DQML
R：A
C：一个
R： B
..
V
IH
DQ （输入）
DQ （输出）
Bank0
活跃
a
a+1 a+2 a+3 a+4 a+5 a+6
.
a+1 a+2 a+3 a+4 a+5
.
.
.
BURST
停止
..
..
..
..
..
..
..
..
高-Z
Bank0
写
Bank3
活跃
Bank1
预充电
写周期
RAS -CAS延迟= 3
CAS延时= 3
突发长度= 4
= VIH或VIL
50
