位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第160页 > GM72V66841CLT > GM72V66841CLT PDF资料 > GM72V66841CLT PDF资料3第29页
LG的Semicon
读到写命令间隔（ 2 ）
CLK
GM72V66841CT/CLT
命令
DQM ，
DQMU
/ DQML
读
WRIT
2个时钟
高-Z
高-Z
CL=2
DOUT
CL=3
DIN
2.同一家银行，不同的行地址：
当行地址发生变化，连续
写入命令不能被执行;这是
需要分开的两个写入命令
用预充电命令或银行主动
命令。
3.不同的银行：
当该行的变化，可以写
不小于1的时间间隔后进行
周期，只要该其他银行一家银行 -
活动状态。然而， DQM ， DQMU / DQML
必须高设置使得输出缓冲器
变成高阻输入数据之前。
28
