位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第160页 > GM72V66841CLT > GM72V66841CLT PDF资料 > GM72V66841CLT PDF资料3第19页
LG的Semicon
突发长度
CLK
GM72V66841CT/CLT
t
RCD
命令
地址
活跃
读
ROW
COLUMN
出0
BL = 1
出0出1
BL = 2
出0出1列2列3
DOUT
BL = 4
出0出1列2列3列4列5列6列7
BL = 8
出0出1列2列3列4列5列6列7列8
出0-1
出0
出1
BL =整版
BL =突发长度
CAS延时= 2
写操作
突发写或写单模式的选择
操作码（ A13 ， A12 ， A11 ， A10 ， A9 ， A8 ）的
该模式寄存器。
1.突发写：
突发写操作是通过设置启用
操作码（ A9和A8 ）到（ 0 ，0）。突发写入启动
在同一周期中作为写入命令集。 （本
数据输入的延迟为0 ）的脉冲串长度能够
被设置为1，2， 4，8和全页，像猝发读
操作。所指定的写入起始地址是
由列地址（
AY0到AY8 ;
GM72V66841CT/CLT
）和银行选择地址
（ A12 / A13 ），在写命令集循环。
2.单写：
一个写操作是通过设置启用
操作码（ A9和A8 ）到（ 1 ，0）。在单写
操作中，数据只写入到列
地址（
AY0到AY8 ; GM72V66841CT / CLT
）和
通过指定的银行选择地址（ A12 / A13 ）
没有考虑到的写命令组循环
突发长度设置。数据（潜伏期
输入为0 ）
18
