日前，Vishay
GBPC6005 THRU GBPC610
威世半导体
100
1,000
正向电流（A ）
10
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
1
结电容， pF的
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
100
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0.1
50 - 400 V
600 - 1000 V
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图3.典型正向特性每支架
图5.典型结电容每支架
100
T
A
= 125 °C
100
T
J
= 100 °C
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
1
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨，加热时间（秒）。
图4.典型的反向漏电特性每支架
图6.典型瞬态每腿热阻抗
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
机箱样式GBPC6
0.630 (16.00)
0.590 (14.98)
0.445 (11.30)
0.405 (10.29)
孔
＃ 6螺丝
0.158 (4.01)
0.142 (3.61)
0.630 （ 16.00 ） DIA 。
0.590 (14.98)
AC
0.128 (3.25)
0.048 (1.22)
AC
0.445 (11.30)
0.405 (10.29)
0.094 （ 2.4 ）× 45度
0.040 （ 1.02 ） TYP 。
0.042(1.07)
DIA 。
0.038(0.96)
0.200 (5.08)
0.160 (4.06)
0.750
(19.05)
分钟。
极性的情况下，一边表示：正带头切角
文档编号88613
10-Dec-04
www.vishay.com
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