FS10ASJ-3
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G1409-0200
（上一篇： MEJ02G0078-0101 ）
Rev.2.00
2006年8月7日
特点
驱动电压： 4 V
V
DSS
: 150 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 160 m
I
D
: 10 A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ： 90纳秒
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZA -A
（包名称： MP -3A ）
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
150
±20
10
40
10
10
40
35
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
Rev.2.00
2006年8月7日
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