FPF2000 ， FPF2007的IntelliMAX 先进负载管理产品
应用信息
典型用途
V
IN
V
OUT
负载
R1 = 100kΩ的
R2 = 500
C2 = 0.1μF
FPF2000 - FPF2007
1.8V-5.5V
OFF ON
C1 = 4.7μF
ON
GND
FLAGB
输入电容
以限制对输入电源的电压下降引起的瞬态
浪涌电流时，开关导通变成一个负载放电
电容器或短路，电容器需要放置
V之间
IN
和GND 。一个4.7μF的陶瓷电容，C
IN
，必须是
置于靠近V
IN
引脚。的C值越高，
IN
可用于
进一步降低所经历的电压降作为开关是
打开成一个大的容性负载。
如果部分进入限流的最大功耗
当输出短路到地会发生。对于
FPF2000 ， FPF2001 ， FPF2004和FPF2005 ，电源
耗散将自动重新启动时间，t规模
重新开始
和
过电流消隐时间，t
空白
，以使最大
功率耗散，
输出电容
一个0.1μF的电容C
OUT
应该放在V之间
OUT
和
GND 。该电容可以防止寄生电感板
从强迫V
OUT
下面GND时，开关关断。对于
FPF2000 ， FPF2002和FPF2004 ， FPF2006 ，总产
电容需要被保持在低于最大值，
C
OUT
（最大） ，以防止该部分从注册过电流
条件和车削过的交换机。最大输出
电容可以从下面的公式来确定，
t
空白
P
(
最大
)
=
--------------------------------------------------
x
(
V
IN
(
最大
)
）十一
LIM
(
最大
)
=
-
t
重新开始
+ t
空白
10
= -------------------
×
5.5
×
0.2
=
1.22mW
80 + 10
(3)
I
LIM
(
最大
) ×
t
空白
(
民
)
C
OUT
=
-------------------------------------------------------------------
-
V
IN
(1)
由于整体体二极管的PMOS开关，一个C
IN
大于c的
OUT
强烈推荐。 A C
OUT
大于
C
IN
可引起V
OUT
超过V
IN
在系统电源是
删除。这可能导致在通过身体的电流溢流
从V二极管
OUT
到V
IN
.
当使用FPF2002和FPF2006必须注意
给部的手动复位。不断重置
部以高占空比时短于输出是本
可导致该部分的温度上升。结
温度将只被允许增加对热
关断阈值。一旦该温度已达到
切换ON不会导通开关直到结
温度下降。对于FPF2003和FPF2007 ，短的
输出将导致部件在恒定电流操作
态消散最坏情况功率计算（3 ），直到
热关断启动。它将然后循环进入和离开
热关断，只要ON引脚被激活，短
是否存在。
功耗
在正常操作期间作为一个开关，该功耗是
小，并具有上的操作温度的影响不大
的一部分。具有较高的电流限制的部分将消散
大部分权力，只会是，
电路板布局
为了获得最佳性能，所有的痕迹应尽可能地短。
是最有效的，输入和输出电容应
放置在靠近设备以最小化效应寄生
寄生电感，可能对正常和短路
操作。使用宽的引线V
IN
, V
OUT
和GND将有助于
最大限度地减少寄生电效应以及最小化
外壳到环境的热阻。
P
=
(
I
LIM
) ×
R
DS
=
(
0.2
) ×
0.7
=
28mW
2
2
(2)
FPF2000 ， FPF2007版本
10
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