FDD6760A N沟道功率沟槽
MOSFET
2009年1月
FDD6760A
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25 V ， 3.2毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 3.2毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 27 A
最大
DS （ ON）
= 6.0毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 21 A
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
提高DC / DC转换器的使用或者整体EF网络效率
同步或传统开关PWM控制器。它有
经过优化的低门电荷，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
D
D
G
S
G
D- PAK
TO -252
(TO-252)
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
25
±20
50
131
27
200
72
65
3.7
-55到+175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
2.3
40
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6760A
设备
FDD6760A
包
D- PAK （TO- 252）
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
2500台
2009仙童半导体公司
FDD6760A Rev.C
1
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