FCP16N60N / FCPF16N60NT N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
100
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
图2.传输特性
100
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
10
150 C
o
25 C
-55 C
o
o
1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
1
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
0.1
0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.6
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS （ ON）
[
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
0.5
0.4
V
GS
= 10V
150 C
o
10
25 C
o
0.3
V
GS
= 20V
0.2
*注：T已
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
0.1
0
10
20
30
I
D
，漏电流[ A]
40
50
1
0.2
2. 250
s脉冲测试
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
10000
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 120V
V
DS
= 380V
V
DS
= 480V
8
7500
电容[ pF的]
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
6
5000
4
2500
C
国际空间站
2
*注：我
D
= 8A
C
RSS
0
0.1
0
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
600
0
10
20
30
40
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
50
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