EN29F002A / EN29F002AN
表3.操作模式
2M FLASH USER MODE表
用户模式
CE
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
OE
X
X
L
H
L
L
L
VID
VID
H
X
RESET
A9
X
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
A9
X
A8
X
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
A8
X
A6
X
X
A6
X
L
L
L
L
H
A6
X
A1
X
X
A1
X
L
L
H
X
H
A1
X
A0
X
X
A0
X
L
H
L
X
L
A0
X
AX /年
X
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
X
DQ(0-7)
高阻
高阻
DQ(0-7)
高阻
生产厂家
ID
器件ID （T / B ）
01h(protected)
00h(unprotected)
X
X
DIN(0-7)
X
（上EN29F002AN N / A ）
RESET
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
VID
待机
读
输出禁用
读
制造商ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
ENABLE行业
保护
部门撤消
写
临时机构
撤消
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
表4.辨识的装置
2M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
*
制造商ID
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（底部结构）
读取设备ID
（底部结构）
*
*
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
L
A0
L
L
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
DQ(7-0)
（十六进制）
CONTINUATION制造商ID
7F
制造商ID
1C
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
92
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
97
注意事项：
这些模式（ A8 = H）被推荐用于制造/设备ID检查。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2003年3月26日
