
EtronTech
图25.写入预充电最大tDQSS ,中断
T0
CK
CK
命令
写
EM6AA160TSA
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
NOP
NOP
NOP
tWR的
PRE
NOP
地址
A银行,
COL
银行
(一个或全部)
tDQSS (MAX)中
*2
激进党
的DQ
DQ
DI
n
DM
*1
*1
*1
*1
DI N =数据为n列
一个中断脉冲串的4或8所示,2个数据元素被写入
tWR的从第一正CK的边缘所引用的最后的数据在一对后
A10为低使用写命令(自动预充电已禁用)
* 1 =可以不在乎的4编程突发长度
* 2 =了4个编程脉冲串长度, DQS变得不关心在这一点上
DM = UDM & LDM
不在乎
钰创机密
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修订版1.2
2009年5月