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EtronTech
图25.写入预充电最大tDQSS ,中断
T0
CK
CK
命令
EM6AA160TSA
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
NOP
NOP
NOP
tWR的
PRE
NOP
地址
A银行,
COL
银行
(一个或全部)
tDQSS (MAX)中
*2
激进党
的DQ
DQ
DI
n
DM
*1
*1
*1
*1
DI N =数据为n列
一个中断脉冲串的4或8所示,2个数据元素被写入
tWR的从第一正CK的边缘所引用的最后的数据在一对后
A10为低使用写命令(自动预充电已禁用)
* 1 =可以不在乎的4编程突发长度
* 2 =了4个编程脉冲串长度, DQS变得不关心在这一点上
DM = UDM & LDM
不在乎
钰创机密
38
修订版1.2
2009年5月

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