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EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
笔记
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
I
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
V
CC
= 1.5V ，我
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
t
RC
典型值
2)
-
0.5
-
-
最大
3.6
-
-
-
单位
V
A
ns
1.请参阅我
SB1
数据表第5页的测量条件。
2.典型值的测定在T
A
=25
o
C和不是100 ％测试。
数据保存波形
t
SDR
V
cc
3.0V
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS1
GND
V
cc
3.0V
CS2
V
DR
0.4V
CS2 < 0.2V
CS1 > VCC- 0.2V
数据保持方式
t
SDR
t
RDR
GND
10
