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EM620FV16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15μm的CMOS全
-
组织： 128K X16
-
电源电压
= > EM620FV16B ： 2.7 3.6V
-
低数据保持电压： 1.5V
-
三态输出与TTL兼容
-
包装产品设计的45 /55 / 70ns的
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um +/- 15微米
-
典型的顶层金属化：
= >金属（钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅） ： 5.2K埃
-
顶面钝化：
= >钝化（ HDP / pNIT / PIQ ） ： 5.4K埃
-
晶圆直径： 8英寸
选项
- C1 / W1 ： DC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
- C2 / W2 ： DC / AC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
1
56
29
EM620FV16B （双C / S）
+
(0.0)
EMLSI LOGO
28
y
x
预充电电路
PAD说明
名字
CS1,CS2
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
8~15
)
低字节（ I / O
0~7
)
无连接
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
行选择
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
WE
OE
UB
LB
CS1
CS2
控制逻辑
粘结说明
2M的全CMOS SRAM芯片拥有总56pads 。参阅接合焊盘的位置和识别表为X，Y坐标。
EMLSI建议使用键合线对芯片的背面到Vss的焊盘，以提高抗噪声能力。
2
