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输出驱动强度
温度补偿自刷新
EM48BM1684LBA
正常的驱动强度得到了所有的输出被指定为LV- CMOS 。通过设置EMRS具体参数
在A6和A5中，数据输出驱动器的驱动能力被选择。
TCSR通过编程在扩展模式寄存器（ EMRS ）控制。自动存储
改变自更新周期由温度波动的影响。
部分阵列自刷新
在EMRS设置中，存储器阵列的大小，以自刷新操作期间被刷新是可编程的，以
以降低功耗。所定义的区域以外的数据不会在自刷新被保留。
1.命令真值表
命令
ignore命令
无操作
突发停止
读
阅读与自动预充电
写
带自动预充电写
银行激活
预充电选择银行
预充电所有银行
符号
DESL
NOP
BSTH
读
READA
WRIT
WRITA
法案
PRE
PALL
CKE
n-1 n
H X将
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
/ RAS
X
H
H
H
H
H
L
L
L
L
/ CAS
X
H
H
L
L
L
H
H
H
H
/ WE
X
H
L
H
H
L
H
H
L
L
BA0,
BA1
X
X
X
V
V
V
V
V
V
X
A10
X
X
X
L
H
L
H
V
L
H
L
A11,
A9~A10
X
X
X
V
V
V
V
V
X
X
V
模式寄存器设置
太太
H X将
L
L
L
L
L
H =高电平，L =低的水平， X =高或低级别（无所谓） ，V =有效数据输入
五月。 2009年
15/21
www.eorex.com
