EGP30A THRU EGP30G

威世通用半导体

100

210

180

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

结电容（pF ）

T

J

= 150 °C

150

120

90

60

30

0

EGP30A - EGP30D

EGP30F & EGP30G

0

1

10

100

1000

T

J

= 25 °C

1

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

0.1

EGP30A - EGP30D

EGP30F & EGP30G

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性

图5.典型结电容

100

100

T

J

= 150 °C

10

T

J

= 125 °C

1

T

J

= 75 °C

0.1

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

100

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

1

0.01

T

J

= 25 °C

0.001

0

20

40

60

80

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图4.典型的反向漏电特性

图6.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

GP20

1.0 (25.4)

分钟。

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA 。

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

分钟。

0.042 (1.07)

0.037 (0.94)

DIA 。

文档编号： 88584

修订： 20 - 8 - 07

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