EDE5132AABG
T0
CK
/ CK
命令
WRIT
NOP
WRIT
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
NOP
A
B
DQS ， / DQS
WL = 3
在中
A0 A1 A2 A3
in
B0
在在在在在在
B1 B2 B3 B4 B5 B6
in
B7
DQ
突发中断只
在该时刻允许的。
写中断通过写（ WL = 3 ， BL = 8 ）
注： 1 。写突发中断功能只允许在突发的4 8.突发中断是禁止的。
2.写一阵8只能通过另一个写入命令被中断。写了读突发中断
命令或预充电命令禁止的。
3.写突发中断必须发生一次写命令后，正好有两个时钟。任何其他写突发
定时中断被禁止。
4.写突发中断允许内部DRAM任何银行。
5.写一阵自动预充电启用不允许中断。
6.写突发中断允许自动预充电命令另写。
7.所有指令时序参考突发长度设置模式寄存器。他们没有被引用到
实际爆破。例如，最小值写入到预充电时序是WL + BL / 2 + tWR的其中tWR的开头
对未中断的突发结束后，而不是从实际爆破结束年底上升时钟。
初步数据表E1115E40 （版本4.0 ）
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